[发明专利]半导体装置和半导体装置的操作方法

权利要求书

1.一种操作半导体装置的方法，该半导体装置包括连接在源极线和位线之间的存储器串，

其中，所述存储器串包括沿着第一沟道层层叠的第一存储器单元、沿着第二沟道层层叠的第二存储器单元、以及连接在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元之间的至少一个开关存储器单元，

该方法包括以下步骤：

对各个所述第一存储器单元中的所选第一存储器单元进行编程；

选择各个所述第二存储器单元中的要进行编程的第二存储器单元；

将编程电压施加到与所选第二存储器单元连接的字线；

截止所述至少一个开关存储器单元，使得所述第一沟道层和所述第二沟道层彼此电隔离；以及

将通过电压施加到与各个所述第一存储器单元和各个所述第二存储器单元中的未选存储器单元连接的字线。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个开关存储器单元位于所述第一沟道层和所述第二沟道层的连接区域中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述所选第一存储器单元进行编程的步骤包括以下步骤：导通所述开关存储器单元，使得所述第一沟道层和所述第二沟道层彼此电连接。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一沟道层与所述源极线相邻，并且所述第二沟道层与所述位线相邻。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在对所述第一存储器单元进行编程之后，对所述第二存储器单元进行编程。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，在对所述第二存储器单元进行编程之后，对所述第一存储器单元进行编程。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述通过电压施加到与所述未选存储器单元连接的字线的步骤包括以下步骤：

将第一通过电压施加到与各个所述未选存储器单元中的相邻于所述开关存储器单元的第一相邻存储器单元连接的字线；以及

将高于所述第一通过电压的第二通过电压施加到各个所述未选存储器单元中的相邻于所述第一相邻存储器单元的第二相邻存储器单元。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，将所述通过电压施加到与所述未选存储器单元连接的字线的步骤包括以下步骤：将高于所述第一通过电压和所述第二通过电压的通过电压施加到各个所述未选存储器单元中的除所述第一相邻存储器单元和所述第二相邻存储器单元以外的其它存储器单元。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述通过电压施加到与所述未选存储器单元联接的字线的步骤包括以下步骤：

将电平低于所述通过电压的电平的第三通过电压施加到与所述第一存储器单元连接的字线；以及

将所述通过电压施加到各个所述第二存储器单元中的未选第二存储器单元。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第三通过电压具有接地电平。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在对所述第二存储器单元进行编程之后，对所述第一存储器单元进行编程。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一沟道层和所述第二沟道层的连接区域中，所述第二沟道层比所述第一沟道层具有更窄的宽度。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一沟道层与所述源极线相邻，所述第二沟道层与所述位线相邻，所述第一沟道层的与所述源极线相邻的部分比所述第一沟道层的与所述第二沟道层相邻的部分具有更窄的宽度，并且

其中，所述第二沟道层的与所述第一沟道层相邻的部分比所述第二沟道层的与所述位线相邻的部分具有更窄的宽度。