[发明专利]一种半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 202011005773.0 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN111933699B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 陈宏玮;翁文杰;杨子亿;张燚 | 申请（专利权）人： | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市栖霞区迈*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构的制备方法，该制备方法包括提供一具有第一区域和第二区域的半导体衬底；于该半导体衬底上形成栅极绝缘材料层，该栅极绝缘材料层包括分别覆盖第一区域和第二区域表面的第一栅极绝缘材料层和第二栅极绝缘材料层；于该栅极绝缘材料层上形成图案化的光阻层，该图案化的光阻层覆盖第二栅极绝缘材料层并露出第一栅极绝缘材料层；湿法蚀刻去除至少部分厚度的第一栅极绝缘材料层，剩余厚度的第一栅极绝缘材料层作为第一栅极绝缘层；在进行湿法蚀刻时，蚀刻液渗透图案化的光阻层后对第二栅极绝缘材料层进行蚀刻减薄，以在第二区域的表面形成第二栅极绝缘层。该制备方法可简化现有的双栅极制程工艺，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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