[发明专利]净化半导体制造设备的方法在审
| 申请号： | 202010980109.1 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112530838A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吴明发;何文龙;杨怀德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种净化半导体制造设备的方法，包括将一载气引入一半导体处理腔室，将一第一气体引入该半导体处理腔室，将一第二气体引入该半导体处理腔室，其中该第一气体与该第二气体反应并形成多个固体副产物，经由一涡流产生器从该半导体处理腔室抽吸该载气以及多个所述固体副产物，其中该涡流产生器生成一涡流污染气流，将该涡流污染气流流过一捕集腔室，其中该捕集腔室减少该载气中的多个所述固体副产物的一数量，将该载气流到一真空泵。经由这些方法，沿着抽吸管线的一部分的固体沉积物可以被移位以及去除，并且抽吸管线的一部分可以是自清洁的。 | ||
| 搜索关键词： | 净化 半导体 制造 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
