[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010978385.4 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN114267801B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 赖学森;严怡然;张建新;敖资通;杨帆 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H10K50/14 | 分类号： | H10K50/14;H10K50/16;H10K50/115;H10K71/00;H10K85/20 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉;温宏梅 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置于所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，还包括：设置于所述电子传输层和量子点发光层之间的界面修饰层，所述界面修饰层包括1‑氨基芘‑二琥珀酸二酯交联的MXene功能化石墨烯复合纳米片，简写为MrGO‑AD复合纳米片。本发明设置MrGO‑AD复合纳米片界面修饰层，避免了电子传输层和量子点发光层之间的界面电荷淬灭，改善了电荷的界面传输。同时，降低了界面间的传输阻碍，避免电荷在界面积累，改善了电荷的界面传输，提高器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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