[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置于所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，其特征在于，还包括：设置于所述电子传输层和量子点发光层之间的界面修饰层，所述界面修饰层包括MrGO-AD复合纳米片；

所述MrGO-AD复合纳米片包括：石墨烯纳米片、MXene纳米片和1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子，所述MXene纳米片设置于两相邻石墨烯纳米片之间的间隙，所述两相邻石墨烯纳米片之间通过所述1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子交联；其中所述MXene为Ti₃C₂T_x，T_x为表面官能团，x代表官能团的个数。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面修饰层由MrGO-AD复合纳米片组成。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面修饰层的厚度为1-50nm。

4.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在阳极上形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上形成界面修饰层，所述界面修饰层包括MrGO-AD复合纳米片；

在所述界面修饰层上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管；

或者，在阴极上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成界面修饰层，所述界面修饰层包括MrGO-AD复合纳米片；

在所述界面修饰层上形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上形成阳极，得到所述量子点发光二极管；

其中，所述MrGO-AD复合纳米片包括：石墨烯纳米片、MXene纳米片和1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子，所述MXene纳米片设置于两相邻石墨烯纳米片之间的间隙，所述两相邻石墨烯纳米片之间通过所述1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子交联；其中所述MXene为Ti₃C₂T_x，T_x为表面官能团，x代表官能团的个数。

5.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层中掺杂有MrGO-AD复合纳米片；

所述MrGO-AD复合纳米片包括：石墨烯纳米片、MXene纳米片和1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子，所述MXene纳米片设置于两相邻石墨烯纳米片之间的间隙，所述两相邻石墨烯纳米片之间通过所述1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子交联；其中所述MXene为Ti₃C₂T_x，T_x为表面官能团，x代表官能团的个数。

6.根据权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为10-200nm。

7.根据权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述MrGO-AD复合纳米片占所述量子点发光层的质量比为0.1％-10％。

8.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在阳极上形成量子点发光层，所述量子点发光层中掺杂有MrGO-AD复合纳米片；

在所述量子点发光层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管；

或者，在阴极上形成量子点发光层，所述量子点发光层中掺杂有MrGO-AD复合纳米片；

在所述量子点发光层上形成阳极，得到所述量子点发光二极管；

其中，所述MrGO-AD复合纳米片包括：石墨烯纳米片、MXene纳米片和1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子，所述MXene纳米片设置于两相邻石墨烯纳米片之间的间隙，所述两相邻石墨烯纳米片之间通过所述1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子交联；其中所述MXene为Ti₃C₂T_x，T_x为表面官能团，x代表官能团的个数。