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[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN202010978385.4有效
发明人： 赖学森;严怡然;张建新;敖资通;杨帆 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10K50/14 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置于所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，还包括：设置于所述电子传输层和量子点发光层之间的界面修饰层，所述界面修饰层包括1‑氨基芘‑二琥珀酸二酯交联的MXene功能化石墨烯复合纳米片，简写为MrGO‑AD复合纳米片。本发明设置MrGO‑AD复合纳米片界面修饰层，避免了电子传输层和量子点发光层之间的界面电荷淬灭，改善了电荷的界面传输。同时，降低了界面间的传输阻碍，避免电荷在界面积累，改善了电荷的界面传输，提高器件的发光效率。
一种量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种薄膜、量子点发光二极管及其制备方法-CN202010697969.4有效
发明人： 赖学森;严怡然;张建新;敖资通;杨帆 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K50/165 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜、量子点发光二极管及其制备方法，所述薄膜的制备方法包括步骤：提供包括AgNO3、Bi(NO3)3和溶剂的混合溶液；对所述混合溶液进行第一加热处理，使溶剂挥发，得到包括AgNO3和Bi(NO3)3的第一薄膜；将包括AgNO3和Bi(NO3)3的第一薄膜进行第二加热处理得到第二薄膜；将第二薄膜进行硒化处理，得到包括Ag掺杂Bi2O2Se的所述薄膜。本发明薄膜结构均匀致密，表面平滑，且薄膜具有高电子迁移率，从而提高电荷传输性能和导电性，促进器件中电子和空穴注入平衡，提高器件性能。
一种薄膜量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光器件及其制备方法-CN202010686296.2有效
发明人：敖资通;严怡然;杨帆;赖学森 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明属于光电器件技术领域，尤其涉及一种发光器件的制备方法，包括步骤，在量子点发光层与阳极之间设置空穴功能层，所述空穴功能层包含空穴传输材料与空穴注入材料的混合材料，所述空穴功能层的厚度选自所述混合材料的腔驻波中原点到第一正波谷之间1/3～2/3横坐标对应的厚度；和/或，在量子点发光层与阴极之间设置电子功能层，所述电子功能层的厚度与电子功能材料的腔驻波中第一正波峰对应厚度的差值的绝对值小于等于5纳米。本发明提供的发光器件的制备方法，通过对空穴功能层和/或电子功能层的调节，使发光层中电子与空穴的注入效率更平衡，提高电子与空穴的复合效率，从而提高器件的发光效率，延长器件的使用寿命，并且制备方法操作简单，适用于工业化大规模生产和应用。
发光器件及其制备方法

[发明专利]发光器件及其制备方法、显示器件-CN202110620486.9在审
发明人： 赖学森;严怡然;张建新;敖资通;杨帆 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制备方法。其中，发光器件的制备方法包括步骤：获取待蒸镀金属电极层的半器件；在预设温度条件下在所述半器件的待蒸镀表面进行蒸镀沉积金属电极层，得到发光器件。本申请发光器件的制备方法，在金属电极动态沉积的同时，半器件在加热环境中进行原位热处理，不但使金属电极膜层致密性好，厚度均一；而且促进了界面层粒子的扩散，从而优化了功能层界面接触，有利于载流子迁移传输，提高了载流子迁移传输效率，提高了发光器件稳定性。
发光器件及其制备方法显示

[发明专利]一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管-CN201911425568.7有效
发明人： 赖学森;严怡然;张建新;敖资通;杨帆 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，纳米材料的制备方法包括步骤：将红磷与有机胺按照质量与体积比1mg：(0.5‑10)mL混合，进行反应，得到红磷晶相与黑磷晶相异相结合的纳米材料；其中所述有机胺的结构式如下所示：其中，n为正整数。本发明将红磷与黑磷原位异相结合构成的纳米材料应用在量子点发光二极管中，凭借所述纳米材料高的电子传输能力，为电子的传输提供快速传输的通道，更好地减少纳米颗粒之间以及各功能层之间的界面电子淬灭。同时，在功能层界面修饰可以降低电子注入势垒，避免电子在势垒界面积累，改善器件的电子传输，从而降低器件的整体阻抗，降低启亮电压，提高器件的性能。
一种纳米材料及其制备方法量子发光二极管

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN201911417228.X有效
发明人：敖资通;严怡然;杨帆;赖学森 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明提供的制备方法，包括：将氧化铟锌前驱体沉积在基质上，形成氧化铟锌前驱体薄膜；采用红外激光照射氧化铟锌前驱体薄膜，进行退火处理，形成氧化铟锌薄膜；采用紫外激光照射氧化铟锌薄膜，进行后退火处理。解决了现有电子传输层的退火工艺容易造成对器件内部损伤的问题。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN202011602307.0在审
发明人：敖资通;张建新;严怡然;杨帆;赖学森;洪佳婷 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述制备方法包括步骤：在预制器件上沉积量子点溶液，所述量子点溶液包括有机溶剂以及分散在有机溶剂中的量子点材料；采用γ射线对所述量子点溶液进行辐照处理，在预制器件上形成量子点发光层。本发明通过对量子点发光层进行γ射线辐照处理，可以有效提升量子发光二极管的光电性能，并提升量子点发光二极管的性能测试的效率。
一种量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN202011606240.8在审
发明人： 赖学森;严怡然;张建新;敖资通;杨帆 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，方法包括步骤：提供PEDOT:PSS水溶液，在阳极衬底上沉积所述PEDOT：PSS水溶液，得到PEDOT:PSS湿膜层；对所述PEDOT：PSS湿膜层进行干燥处理，制得空穴注入层；在所述空穴注入层上制备空穴传输层；在所述空穴传输层制备发光层；在所述发光层上制备阴极，制得所述发光二极管。通过本发明方法制得发光二极管的发光均匀性明显提高，且其空穴注入和传输性能也得到明显改善。
一种发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN202011630880.2在审
发明人：敖资通;张建新;严怡然;杨帆;赖学森;洪佳婷 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。方法包括步骤：在阳极上制备量子点发光层；在量子点发光层上制备电子传输层；采用氢离子束对电子传输层进行轰击处理；在经轰击处理后的电子传输层上制备阴极。本发明使用氢离子束轰击电子传输材料时，与材料表层的原子和电子产生复杂的相互作用，所携带的能量大部分以热能的形式转移给电子传输材料，产生的热效应对电子传输层起到退火处理的作用，该退火处理可以让膜层内分子排列更有序，提升膜层的载流子迁移率，避免了载流子传输能力差导致界面电荷累积，致使荧光猝灭的发生，进而延长了量子点发光二极管的寿命；而均匀的离子束轰击可以使薄膜粗糙度大幅降低，提升器件整体的发光均匀性。
一种量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种QLED器件及其制备方法-CN202011639758.1在审
发明人：敖资通;张建新;严怡然;杨帆;赖学森;洪佳婷 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种QLED器件及其制备方法，所述制备方法包括步骤：提供基板，所述基板包括第一电极；对所述基板进行冷处理或将所述基板置于第一温度条件下，在所述基板上沉积量子点溶液，形成量子点膜层；其中，所述第一温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0‑5℃，所述冷处理的温度与所述量子点溶液的存储温度之间的绝对差值为0‑5℃；在所述量子点膜层上制备第二电极。本发明提供的制备方法可以最大程度地避免由于量子点材料因配体脱落而造成QLED器件发光不均匀的问题，并可以大幅降低荧光猝灭的现象。
一种 qled 器件及其制备方法

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202011579878.7在审
发明人：敖资通;严怡然;张建新;杨帆;赖学森;洪佳婷 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请涉及显示技术领域，提供了一种发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，以及层叠设置在阳极和阴极之间的空穴注入层、空穴传输层和发光层，其中，在空穴注入层和空穴传输层之间设置有第一铁电材料。本发明通过在空穴传输层与空穴注入层之间设置第一铁电材料，可以改善界面、大幅减小发光二极管的漏电流情况，从而提高发光二极管的工作寿命和稳定性。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法-CN202011581065.1在审
发明人：敖资通;严怡然;张建新;杨帆;赖学森;洪佳婷 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管及其制备方法。本发明利用了X射线具有热效应，且穿透能力强，可使某些化合物发生荧光的特点，通过X射线辐照对电子传输层进行后退火处理，可使电子传输层的分子排列更加有序，从而提升电子传输层的载流子迁移率，使所得量子点发光二极管的效率得到提升，避免载流子传输能力差导致的界面电荷累积、致使荧光淬灭发生的问题。
量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]载流子传输薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法-CN202011585334.1在审
发明人：敖资通;严怡然;张建新;杨帆;赖学森;洪佳婷 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本申请涉及显示器件技术领域，提供了一种流子传输薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供基板；在所述基板上制备由N层堆叠的金属氧化物半导体层组成的载流子传输薄膜；其中，每层所述金属氧化物半导体层的制备步骤包括：先沉积金属氧化物半导体材料，然后用电子束扫描退火；N为正整数，N≥2。该制备方法可以改善载流子传输薄膜的微观形貌，降低载流子传输薄膜的粗糙度，使膜层更佳平整，而且膜层结晶度得到提高，分子排列更佳有序，最终提高了载流子迁移率。
载流子传输薄膜制备方法量子发光二极管

[发明专利]一种量子点材料及其制备方法与光电器件-CN202011643469.9在审
发明人： 赖学森;严怡然;敖资通;杨帆 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点材料及其制备方法与光电器件。所述量子点材料包括：金属纳米颗粒核、包覆所述金属纳米颗粒核的钙钛矿中间壳层、包覆所述钙钛矿中间壳层的外壳层。本发明通过引入金属纳米颗粒，利用金属纳米颗粒诱导局域表面等离子体共振的激元‑等离子体耦合来增强钛矿的光吸收和发光强度。且这种核壳结构使金属纳米颗粒与钙钛矿的界面接触更加紧密且形成了包围的趋势，减少了等离子体共振增强光作用后的光散射损失，能更好地实现金属纳米颗粒与钙钛矿之间的等离子体共振增强作用。而外壳层引入到钙钛矿中间壳层的外表面，能起到钝化钙钛矿的表面，减少因钙钛矿制备过程中形成的缺陷。
一种量子材料及其制备方法光电器件

[发明专利]量子点发光二极管底电极及其制备方法-CN202011550009.1在审
发明人：敖资通;严怡然;张建新;杨帆;赖学森;洪佳婷 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管底电极及其制备方法。本发明通过对电极层进行结晶化处理，可以使电极层中原本处于非晶态的导电金属氧化物结晶化，然后再经刻蚀处理将未结晶化的部分去除掉，不仅可以达到充分退火的目的，使电极层的载流子迁移率得到提高，而且避免了常规加热退火处理过程中对反射层造成的负面影响。同时，本发明制备过程中无需激光刻蚀设备，也无需制备抗蚀剂膜层，既简化了制备工艺，又降低了生产成本，更适合实验室小规模研发的需求。本发明量子点发光二极管底电极用于制备顶发射量子点发光二极管，所得顶发射量子点发光二极管具有较好的发光效率和性能。
量子发光二极管电极及其制备方法

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