[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置于所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，还包括：设置于所述电子传输层和量子点发光层之间的界面修饰层，所述界面修饰层包括1‑氨基芘‑二琥珀酸二酯交联的MXene功能化石墨烯复合纳米片，简写为MrGO‑AD复合纳米片。本发明设置MrGO‑AD复合纳米片界面修饰层，避免了电子传输层和量子点发光层之间的界面电荷淬灭，改善了电荷的界面传输。同时，降低了界面间的传输阻碍，避免电荷在界面积累，改善了电荷的界面传输，提高器件的发光效率。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)近年来广泛受到关注，主要是因其具有发光光谱连续可调、亮度高、色纯度高等的独特光学物理特性，成为下一代显示和照明领域的有力竞争者。QLED器件的效率在研究者的不懈努力下不断提高，但就现阶段的器件效率和寿命还相对较低，其工业应用受到巨大的挑战。但是在QLED器件中广泛采用无机有机载流子传输层混合的结构，即由阳极、有机空穴传输层、发光层、无机电子传输层和阴极构成，该结构的器件存在以下缺陷：一方面器件内部各功能层之间的界面，如电子传输层与量子点发光层之间的界面，电荷容易在该界面处被淬灭，阻碍电荷的界面传输；另一方面利用分散性良好的纳米颗粒作为电子传输材料，该电子传输材料通过一定方式制备出的电子传输层，其内部是无数个纳米颗粒堆积而成的，这就无形中产生了无数的颗粒之间的界面，影响电子在传输层内部之间的传输，同时为了维持纳米颗粒的量子点特性，制备时引入的长链的有机配体也降低了电子传输层的导电性，导致一定程度上增加了电子传输层的串联电阻，电子传输层电荷输运性能和导电性降低，严重影响器件中量子点发光层的电子和空穴注入平衡，从而限制了器件的光电性能。因此，如何优化功能层之间的界面以及改善传输层的导电性及促进电荷传输，改善器件性能成了关键。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管的发光效率较低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置于所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，其中，还包括：设置于所述电子传输层和量子点发光层之间的界面修饰层，所述界面修饰层包括1-氨基芘-二琥珀酸二酯交联的MXene功能化石墨烯复合纳米片，简写为MrGO-AD复合纳米片；

所述MrGO-AD复合纳米片包括：石墨烯纳米片、MXene纳米片和1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子，所述Mxene纳米片设置于两相邻石墨烯纳米片之间的间隙，所述两相邻石墨烯纳米片之间通过所述1-氨基芘-二琥珀酸二酯分子交联；其中所述MXene为Ti₃C₂T_x，T_x为表面官能团，x代表官能团的个数。

本发明在电子传输层和量子点发光层之间设置MrGO-AD复合纳米片界面修饰层，避免了电子传输层和量子点发光层之间的界面电荷淬灭，改善了电荷的界面传输。同时，在电子传输层和量子点发光层之间设置MrGO-AD复合纳米片界面修饰层，降低了界面间的传输阻碍，避免电荷在界面积累，改善了电荷的界面传输；也就是说，设置所述界面修饰层，改善了器件的界面电阻，从而降低器件的整体阻抗，降低启亮电压，促进器件中电荷传输，提高器件的发光效率。

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

在阳极上形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上形成界面修饰层，所述界面修饰层包括MrGO-AD复合纳米片；

在所述界面修饰层上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管；