[发明专利]阵列基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010959968.2 申请日: 2020-09-14
公开(公告)号: CN112002714B 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 吴咏波 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1343
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 刘泳麟
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种阵列基板及其制备方法,该阵列基板包括同层设置的第一电极和第二电极、位于第一电极和第二电极的上方的第一介质层、位于第一介质层的上方的第一金属层、位于第一金属层上方的第二介质层以及位于第二介质层上方的第二金属层,其中,第二介质层延伸至第二电极表面,并设置有通孔,第二金属层通过通孔与第二电极电性连接,通孔未与第一介质层接触,第二电极上方无第一介质层,可彻底解决第一金属层在第一介质层的通孔内残留问题,可降低阵列基板制作时的困难,确保第一金属层不会与第二金属层发生电性连接的现象,避免第一金属层与第二金属层发生异常短路的风险,从而提高阵列基板的显示品质。
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
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