[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
申请号: | 202010959968.2 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN112002714B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 吴咏波 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刘泳麟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法,该阵列基板包括同层设置的第一电极和第二电极、位于第一电极和第二电极的上方的第一介质层、位于第一介质层的上方的第一金属层、位于第一金属层上方的第二介质层以及位于第二介质层上方的第二金属层,其中,第二介质层延伸至第二电极表面,并设置有通孔,第二金属层通过通孔与第二电极电性连接,通孔未与第一介质层接触,第二电极上方无第一介质层,可彻底解决第一金属层在第一介质层的通孔内残留问题,可降低阵列基板制作时的困难,确保第一金属层不会与第二金属层发生电性连接的现象,避免第一金属层与第二金属层发生异常短路的风险,从而提高阵列基板的显示品质。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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