[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，该阵列基板包括同层设置的第一电极和第二电极、位于第一电极和第二电极的上方的第一介质层、位于第一介质层的上方的第一金属层、位于第一金属层上方的第二介质层以及位于第二介质层上方的第二金属层，其中，第二介质层延伸至第二电极表面，并设置有通孔，第二金属层通过通孔与第二电极电性连接，通孔未与第一介质层接触，第二电极上方无第一介质层，可彻底解决第一金属层在第一介质层的通孔内残留问题，可降低阵列基板制作时的困难，确保第一金属层不会与第二金属层发生电性连接的现象，避免第一金属层与第二金属层发生异常短路的风险，从而提高阵列基板的显示品质。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

薄膜晶体管阵列基板是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关装置和驱动装置用在如LCD(Liquid Crystal Display，LCD)显示装置与OLED(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置中。

如图1所示，低温多晶硅液晶显示面板在传统的薄膜晶体管阵列基板的制作工艺流程中，首先于基板101上依次制作第一金属层102、缓冲层103、有源层104，然后制作层间绝缘层105并进行蚀刻至有源层104的源极端的过孔和漏极端过孔，过孔均将有源层的部分裸露，接着制作第二金属层106，第二金属层106包括触控信号线1061、源极以及漏极1062，最后制作平坦化层107、公共电极层1081、钝化层1082以及像素电极109，在传统工艺中，公共电极层1081通过过孔1072与触控信号线1061电性连接，用于像素电极109与漏极1062接触的过孔从平坦化层107开始即成形，在平坦化层106刻蚀后用于与像素电极接触的过孔1071为裸露状态；在后面的制程中，沉积公共电极1081时，存在公共电极1081残留部分滑落到过孔1071内，公共电极1081在平坦化层107中过孔1071内的的光阻厚度不一，造成曝光时沉积不一，从而使得平坦化层107中过孔1071内的公共电极1081不容易被曝光显影去除，像素电极109容易与公共电极1081发生电性连接，导致异常短路问题，对液晶面板的显示品质影响极大，另外为了追求高像素开口率，公共电极间距设计较小的问题。

综上所述，需要设计一种阵列基板，来解决现有技术中公共电极通过平坦化层中过孔连接触控信号线时，由于公共电极距离平坦化层中过孔距离过近，当公共电极成膜时，平坦化层中过孔内的坡度较陡，导致公共电极在平坦化层中过孔内的的光阻厚度不一，造成曝光时沉积不一，从而使得平坦化层中过孔内的公共电极不容易被曝光显影去除，从而公共电极残留在平坦化层中过孔中，造成像素电极容易与公共电极发生电性连接，从而发生异常短路的风险，影响液晶面板的显示品质的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板，能够解决现有技术中公共电极通过平坦化层中过孔连接触控信号线时，由于公共电极距离平坦化层中过孔距离过近，当公共电极成膜时，平坦化层中过孔内的坡度较陡，导致公共电极在平坦化层中过孔内的的光阻厚度不一，造成曝光时沉积不一，从而使得平坦化层中过孔内的公共电极不容易被曝光显影去除，从而公共电极残留在平坦化层中过孔中，造成像素电极容易与公共电极发生电性连接，从而发生异常短路的风险，影响液晶面板的显示品质的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种阵列基板，至少包括：衬底；同层设置的第一电极和第二电极，位于所述衬底的上方；第一介质层，位于所述第一电极和所述第二电极的上方，所述第一介质层对应所述第一电极的位置设置有过孔；第一金属层，位于所述第一介质层的上方，所述第一金属层通过所述过孔与所述第一电极电性连接；第二介质层，位于所述第一金属层的上方，所述第二介质层延伸至所述第二电极表面，并设置有通孔，所述通孔未与所述第一介质层接触；第二金属层，位于所述第二介质层的上方，所述第二金属层通过所述通孔与所述第二电极电性连接。