[发明专利]一种半导体层的制造方法及制造系统在审
| 申请号： | 202010937773.8 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN111816551A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 宫保友;黄志贤;方建智;杨承宪 | 申请（专利权）人： | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市栖霞区迈*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种半导体层的制造方法及制造系统，包括：将第一晶圆置于腔体内，以在所述第一晶圆上形成金属薄膜；其中，在形成所述金属薄膜之前，所述腔体内的温度为第一温度；将已形成所述金属薄膜的所述第一晶圆转移出所述腔体；其中，所述腔体内的温度为第二温度，所述第二温度大于所述第一温度；向所述腔体内通入惰性气体，以对所述腔体进行冷却，以使所述腔体内的温度变为所述第一温度；在所述腔体温度为所述第一温度之后，将第二晶圆置于所述腔体内，以在所述第二晶圆上形成所述金属薄膜。本发明提出的半导体层的制造方法可以减少金属薄膜表面上的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制造 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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