[发明专利]一种半导体层的制造方法及制造系统在审
| 申请号： | 202010937773.8 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN111816551A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 宫保友;黄志贤;方建智;杨承宪 | 申请（专利权）人： | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市栖霞区迈*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制造 方法 系统 | ||
1.一种半导体层的制造方法，其特征在于，包括：
将第一晶圆置于腔体内，以在所述第一晶圆上形成金属薄膜；其中，在形成所述金属薄膜之前，所述腔体内的温度为第一温度；
将已形成所述金属薄膜的所述第一晶圆转移出所述腔体；其中，所述腔体内的温度为第二温度，所述第二温度大于所述第一温度；
向所述腔体内通入惰性气体，以对所述腔体进行冷却，以使所述腔体内的温度变为所述第一温度；
在所述腔体温度为所述第一温度之后，将第二晶圆置于所述腔体内，以在所述第二晶圆上形成所述金属薄膜。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一晶圆上形成所述金属薄膜的步骤包括：
将所述第一晶圆置于所述腔体内的吸盘上；
向所述腔体内通入气体；
进行沉积作业，以形成所述金属薄膜。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一晶圆上形成所述金属薄膜的时间在50-60s之间。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属薄膜的厚度为8000-10000埃。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述惰性气体包括氩气，氦气或氮气。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，向所述腔体内通入所述惰性气体的时间在10-20s之间。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一晶圆上形成所述金属薄膜的步骤与在所述第二晶圆上形成所述金属薄膜的步骤相同。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属薄膜包括铝薄膜，钛薄膜或铜薄膜。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一温度在280-300℃之间，所述第二温度在301-350℃之间。
10.一种实现权利要求1-9任一所述的制造方法的半导体层的制造系统，其特征在于，包括：
沉积单元，包括一腔体，外部气源和温度感测单元；
其中，所述外部气源设置在所述腔体上，用于向所述腔体内通入气体；所述温度感测单元位于所述腔体内，用于测量所述腔体内的温度；
其中，当将第一晶圆置于所述腔体内时，所述温度感测单元测量所述腔体内的温度为第一温度；当所述第一晶圆上形成金属薄膜后，所述温度感测单元测量所述腔体内的温度为第二温度；
其中，移出所述第一晶圆后，向所述腔体内通入惰性气体，以对所述腔体进行冷却，当所述温度感测单元测量所述腔体内的温度为所述第一温度时，将第二晶圆置于所述腔体内，以在所述第二晶圆上形成所述金属薄膜。
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