[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010869563.X 申请日: 2020-08-26
公开(公告)号: CN112652594A 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 山本纱矢香 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/50;H02M7/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 俞丹;宋俊寅
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在半导体装置中优选能够抑制电压和电流中的振荡和噪声的发生。本发明提供一种半导体装置,包括:多个电路部;以及由板状的导电材料形成并连接于任一个电路部的第一连接部和第二连接部,第一连接部和第二连接部的各个主面相对而配置,第一连接部和第二连接部分别具有与电路部连接的电路连接端部和对主面的电流路径进行限制的路径限制部,在路径限制部和电路连接端部之间的电流路径流通的电流的方向在第一连接部和第二连接部不同。在路径限制部与电路连接端部之间的电流路径流通的电流的方向优选在第一连接部和第二连接部相反。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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