[发明专利]一种用微波等离子体技术生长单晶钻石的基台有效
| 申请号： | 202010837064.2 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN112481697B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 满卫东;龚闯;朱长征;吴剑波 | 申请（专利权）人： | 上海征世科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/00 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 佘大鹏 |
| 地址： | 201799 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用微波等离子体技术生长单晶钻石的基台，包含一呈圆形的微波等离子体基片台，所述基片台的上方紧贴着基片台表面有微波激发的一球形等离子体，所述基片台表面轴对称中心处有一个凹坑，该凹坑中能放置一个用于钻石生长的晶托。凹坑底部环绕晶托有一环形的金属细管，细管上有小孔，细管连接供气/抽气系统。凹坑顶部环绕晶托有一环形的金属细管，细管上有小孔，细管连接抽气/供气系统。凹坑内顶部细管与底部细管通过外部阀门控制可实现抽气与供气功能的互换。该方案能避免晶种侧面堆积的非金刚石碳影响到晶种上表面钻石的正常生长，同时能提高晶种表面生长速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 等离子体 技术 生长 钻石 | ||
【主权项】：
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