[发明专利]一种用微波等离子体技术生长单晶钻石的基台

权利要求书

1.一种用微波等离子体技术生长单晶钻石的基台，其特征在于：包含一呈圆形的微波等离子体基片台，所述基片台的上方紧贴着基片台表面有微波激发的一球形等离子体，所述基片台紧贴等离子体球的中央有一个凹坑，该凹坑中能放置一个用于钻石生长的晶托；

所述凹坑内紧贴顶部和底部分别设置有一个环绕晶托布置的环形的金属细管，金属细管上有以晶托为中心对称分布的2个或多个小孔；

分别连接基片台所述凹坑中所述金属细管的进气管与出气管能根据需要进行进气和抽气的功能互换，即原先的进气管变成抽气管，原先的抽气管变成进气管。

2.根据权利要求1所述的基台，其特征在于：所述凹坑为上下相同直径的圆柱形或上粗下细的圆台形；所述凹坑的深度在6 .0-15 .0毫米之间，直径在10 .0-30 .0毫米之间。

3.根据权利要求1所述的基台，其特征在于：所述的凹坑在整个基片台为一个，处于基片台上表面的中心处。

4.根据权利要求1所述的基台，其特征在于：金属细管的外径在1 .5-2 .5毫米之间。

5.根据权利要求4所述的基台，其特征在于：所述凹坑内紧贴底部设置的所述金属细管上的小孔用以放出指定的单一气体或者多种气体的混合物；也能通过外部阀门控制，进行抽气；小孔的直径在0 .2-0 .5毫米之间。

6.根据权利要求4所述的基台，其特征在于：所述凹坑内紧贴顶部设置的所述金属细管上的小孔与真空腔体的抽气系统相连，也能通过外部阀门控制用以放出指定的单一气体或者多种气体的混合物；小孔的直径在0 .2-0 .5毫米之间。

7.根据权利要求1所述的基台，其特征在于，所述进气管与出气管的功能互换，是通过设置在真空腔外部的4个不同的阀门的开关来进行控制；同时在气路上都有气体流量控制器进行气体流量的控制。

8.一种用微波等离子体技术生长单晶钻石生长方法，其特征在于：包括如权利要求1-7任一项所述的基台，所述基片台上方有一用微波激发的等离子体，还包括微波系统、真空系统、供气系统和等离子体反应室，其中，钻石生长用的钻石晶种放置在晶托上，晶托放置在凹坑中，凹坑底部紧贴凹坑内壁处设置有出气用的金属细管，细管表面有多个以晶托为中心对称分布的出气孔，工作时能有选择性地释放出一种气体或者多种气体的混合物；凹坑顶部环绕晶托设置有抽气用的金属细管，细管表面有多个以晶托为中心对称分布的抽气孔；进气管与出气管可以根据工艺需要，通过气路管道上设置在真空腔外面的4个阀门的控制来实现抽气和进气的功能互换，即原先的进气管变成出气管，原先的出气管变成进气管。