[发明专利]三维半导体装置及其制造方法

摘要

一种三维半导体装置，包括：导电层，其位于衬底上并且包括第一导电类型的杂质；基体层，其位于导电层上；堆叠件，其包括下绝缘膜以及位于下绝缘膜上的栅电极和模制绝缘层，其中，基体层包括高介电材料；竖直结构，其包括穿过堆叠结构的竖直沟道层和设置在竖直沟道层与多个栅电极之间的竖直绝缘层，竖直结构在绝缘基体层中具有在宽度方向上延伸的延伸区域；以及隔离结构，其穿过堆叠结构、绝缘基体层和导电层，并且在与衬底的上表面平行的方向上延伸，其中，导电层具有延伸部分，延伸部分在竖直结构的延伸区域中沿着竖直沟道层的表面延伸。