专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN201810729739.4有效
  • 金成吉;金智美;金泓奭;卢镇台;崔至薰;安宰永 - 三星电子株式会社
  • 2018-07-05 - 2023-10-17 - H10B41/20
  • 本公开提供一种半导体器件,其包括堆叠结构、通道孔、介电层、通道层、钝化层以及空气隙。堆叠结构包括交替地堆叠在彼此上的导电层图案与层间绝缘层图案。通道孔穿透所述堆叠结构。介电层设置在所述通道孔的侧壁上。通道层设置在所述介电层上及所述通道孔中。钝化层设置在所述通道层上及所述通道孔中。所述通道层夹置在所述钝化层与所述介电层之间。空气隙被所述钝化层环绕。所述空气隙的宽度大于所述钝化层的宽度。本公开的半导体器件可提高操作速度、耐用性并改善性能。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN201810711070.6有效
  • 金成吉;金智美;金泓奭;南泌旭;安宰永;崔至薰 - 三星电子株式会社
  • 2018-07-02 - 2023-10-13 - H10B43/30
  • 一种半导体器件可以包括多个导电图案和绝缘图案。多个导电图案可以形成在衬底上。多个导电图案可以在与衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开。多个导电图案中的每一个可以具有延伸部分和台阶部分。台阶部分可以设置在对应导电图案的边缘处。绝缘图案可以在竖直方向上形成在多个导电图案之间。多个导电图案中的每一个的台阶部分的下表面和上表面可以向上弯曲。
  • 半导体器件
  • [发明专利]三维半导体存储器装置-CN202110012743.0在审
  • 金成吉;金智美;金廷奂 - 三星电子株式会社
  • 2021-01-06 - 2021-09-28 - H01L27/11578
  • 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括:基底,具有单元阵列区域和连接区域;电极结构,包括堆叠在基底上的电极并且在连接区域上具有阶梯结构;垂直沟道结构,位于单元阵列区域上以穿透电极结构并且电连接到基底;虚设结构,位于连接区域上以穿透阶梯结构;以及第一侧壁氧化物图案,置于基底与虚设结构之间。虚设结构包括位于基底上的上部分、与第一侧壁氧化物图案接触的中间部分以及位于中间部分下方的下部分。随着距上部分的垂直距离增大,中间部分的直径减小直到中间部分的直径达到其最小值,然后增大。
  • 三维半导体存储器装置

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