[发明专利]一种高能效屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 202010815193.1 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112185816B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 黄传伟;夏华秋;诸建周 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子产品设计技术领域，具体涉及一种高能效屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法，其技术要点在于：所述高能效屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法：S1：选用N型衬底，并在衬底表面淀积刻蚀掩蔽层，再在刻蚀掩蔽层通过刻蚀形成深槽结构；S2：在沟槽底部注入Phosphor；S3：在沟槽内形成栅氧化层，并淀积Poly1，利用Poly1标记光刻、刻蚀形成需要的区域；S4：在衬底表面淀积氧化硅，并对平坦衬底表面；S5：在衬底表面通过刻蚀形成cell区；S6：在cell区表面淀积Poly2，Poly2回刻至硅表面；S7：在深槽形成P+区域；S8：在衬底表面形成N+区域。通过多次次不同注入能量和注入剂量的匹配形成第二层线性变掺杂浓度的外延层，以得到在高频下具有低导通电阻RDSON、大电流密度和高UIS能力的MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能效 屏蔽 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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