[发明专利]配线衬底及半导体装置在审
| 申请号： | 202010768154.0 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN113410204A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 尾山幸史;中村三昌;佐野雄一 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/552;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种配线衬底及半导体装置。一种配线衬底，具有：第1配线层，配置着高速配线；第2配线层，配置着传送比所述高速配线慢的信号的信号配线；及第3配线层，配置在所述第1配线层与所述第2配线层之间，包含电源配线或/及接地配线；且去除所述第1配线层的焊盘与所述信号配线不重叠的部分的所述电源配线或/及接地配线，将所述第1配线层的焊盘与所述信号配线重叠的部分的所述电源配线或/及接地配线以与所述信号配线重叠的方式配置。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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