[发明专利]晶片结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010745335.1 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112310023A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 赖俊谚;陈家湘 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶片结构及其制造方法，该晶片结构包括第一基板、第二基板、导电通道与重布线层。第一基板具有第一倾斜侧壁。第二基板位于第一基板的下表面上，且具有上部与下部。下部凸出上部。上部位于第一基板与下部之间。上部具有第二倾斜侧壁，且第一倾斜侧壁与第二倾斜侧壁的斜率大致相同。导电通道位于下部中。重布线层从第一基板的上表面依序沿第一倾斜侧壁与第二倾斜侧壁延伸至第二基板的下部的上表面，且电性连接导电通道。本发明的晶片结构深宽比可有效降低。此外，由于重布线层是在第一倾斜侧壁与第二倾斜侧壁上延伸，因此第一基板的厚度与第二基板的厚度不影响深宽比，对于设计上来说有所助益。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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