[发明专利]晶片结构及其制造方法

说明书

一种晶片结构及其制造方法，该晶片结构包括第一基板、第二基板、导电通道与重布线层。第一基板具有第一倾斜侧壁。第二基板位于第一基板的下表面上，且具有上部与下部。下部凸出上部。上部位于第一基板与下部之间。上部具有第二倾斜侧壁，且第一倾斜侧壁与第二倾斜侧壁的斜率大致相同。导电通道位于下部中。重布线层从第一基板的上表面依序沿第一倾斜侧壁与第二倾斜侧壁延伸至第二基板的下部的上表面，且电性连接导电通道。本发明的晶片结构深宽比可有效降低。此外，由于重布线层是在第一倾斜侧壁与第二倾斜侧壁上延伸，因此第一基板的厚度与第二基板的厚度不影响深宽比，对于设计上来说有所助益。

技术领域

本发明有关于一种晶片结构与一种晶片结构的制造方法。

背景技术

晶片结构可具有堆叠的晶片，且此晶片结构的上表面与下表面可能需与其他装置电性连接，因此在晶片结构的上表面与下表面可先形成裸露导电垫的通孔，接着便可分别在晶片结构的上表面与下表面形成电性连接导电垫的重布线层，以于后续制程电性连接其他装置。前述晶片结构的上表面为上层晶片的上表面，下表面为下层晶片的下表面。此外，上层晶片的导电垫位于上层晶片的下表面，下层晶片的导电垫位于下层晶片的上表面，可在接合制程中电性连接不同晶片的导电垫。

然而，通孔的深宽比(Aspect ratio)与晶片的厚度有关。当选用的晶片厚时，通孔的深宽比大(例如大于2)，重布线层在转折处容易断线。如此一来，晶片结构所包括的晶片厚度将会有所局限，不利于设计。此外，通孔的深宽比大，虽然可采用激光钻孔的方式形成，但也容易对导电垫造成损伤。

发明内容

本发明的一技术态样为一种晶片结构。

根据本发明一实施方式，一种晶片结构包括第一基板、第二基板、导电通道与重布线层。第一基板具有第一倾斜侧壁。第二基板位于第一基板的下表面上，且具有上部与下部。下部凸出上部。上部位于第一基板与下部之间。上部具有第二倾斜侧壁，且第一倾斜侧壁与第二倾斜侧壁的斜率大致相同。导电通道位于下部中。重布线层从第一基板的上表面依序沿第一倾斜侧壁与第二倾斜侧壁延伸至第二基板的下部的上表面，且电性连接导电通道。

在本发明一实施方式中，上述晶片结构还包括接合层。接合层位于第一基板与第二基板之间，且接合层的侧面接触重布线层。

在本发明一实施方式中，上述第一基板、第二基板与接合层定义出空腔。

在本发明一实施方式中，上述接合层具有倾斜侧面。晶片结构还包括绝缘层。绝缘层位于导电通道与第二基板之间、第二基板的下表面上、重布线层与第一基板之间、第一基板的上表面上、第一倾斜侧壁上、接合层的倾斜侧面上及第二倾斜侧壁上。

在本发明一实施方式中，上述接合层具有倾斜侧面。晶片结构还包括表面保护层。表面保护层位于第一基板的上表面上、重布线层上、第一倾斜侧壁上、接合层的倾斜侧面上、第二倾斜侧壁上及第二基板的下部上。

在本发明一实施方式中，上述第一基板具有导电垫，且导电垫的侧壁接触重布线层。

在本发明一实施方式中，上述晶片结构还包括接合层。接合层位于第一基板与第二基板之间，且第一基板的导电垫位于接合层上。

在本发明一实施方式中，上述第二基板具有导电垫，且导电垫的侧壁接触重布线层。

在本发明一实施方式中，上述晶片结构还包括接合层。接合层位于第一基板与第二基板之间，且接合层位于第二基板的导电垫上。

在本发明一实施方式中，上述第一基板与第二基板各具有导电垫，晶片结构还包括接合层。接合层位于两导电垫与重布线层之间。

在本发明一实施方式中，上述重布线层为阶梯状。

在本发明一实施方式中，上述重布线层具有两水平部与倾斜部，倾斜部的两端分别邻接两水平部。