[发明专利]晶片结构及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片结构，其特征在于，包括：

第一基板，具有第一倾斜侧壁；

第二基板，位于该第一基板的一下表面上，且具有上部与下部，其中该下部凸出该上部，该上部位于该第一基板与该下部之间，该上部具有第二倾斜侧壁，且该第一倾斜侧壁与该第二倾斜侧壁的斜率大致相同；

导电通道，位于该下部中；以及

重布线层，从该第一基板的上表面依序沿该第一倾斜侧壁与该第二倾斜侧壁延伸至该第二基板的该下部的上表面，且电性连接该导电通道。

2.根据权利要求1所述的晶片结构，还包括：

接合层，位于该第一基板与该第二基板之间，且该接合层的侧面接触该重布线层。

3.根据权利要求2所述的晶片结构，其中该第一基板、该第二基板与该接合层定义出空腔。

4.根据权利要求2所述的晶片结构，该接合层具有倾斜侧面，该晶片结构还包括：

绝缘层，位于该导电通道与该第二基板之间、该第二基板的下表面上、该重布线层与该第一基板之间、该第一基板的该上表面上、该第一倾斜侧壁上、该接合层的该倾斜侧面上及该第二倾斜侧壁上。

5.根据权利要求2所述的晶片结构，该接合层具有倾斜侧面，该晶片结构还包括：

表面保护层，位于该第一基板的该上表面上、该重布线层上、该第一倾斜侧壁上、该接合层的该倾斜侧面上、该第二倾斜侧壁上及该第二基板的该下部上。

6.根据权利要求1所述的晶片结构，其中该第一基板具有导电垫，且该导电垫的侧壁接触该重布线层。

7.根据权利要求6所述的晶片结构，还包括：

接合层，位于该第一基板与该第二基板之间，且该第一基板的该导电垫位于该接合层上。

8.根据权利要求1所述的晶片结构，其中该第二基板具有导电垫，且该导电垫的侧壁接触该重布线层。

9.根据权利要求8所述的晶片结构，还包括：

接合层，位于该第一基板与该第二基板之间，且该接合层位于该第二基板的该导电垫上。

10.根据权利要求1所述的晶片结构，其中该第一基板与该第二基板各具有导电垫，该晶片结构还包括：

接合层，位于该两导电垫与该重布线层之间。

11.根据权利要求1所述的晶片结构，其中该重布线层为阶梯状。

12.根据权利要求1所述的晶片结构，其中该重布线层具有两水平部与倾斜部，该倾斜部的两端分别邻接该两水平部。

13.根据权利要求12所述的晶片结构，其中该重布线层的该两水平部分别位于该第一基板的该上表面与该下部的该上表面，该倾斜部位于该第一倾斜侧壁与该第二倾斜侧壁上。

14.根据权利要求12所述的晶片结构，其中在该下部的该上表面上的该水平部接触该导电通道的上表面。

15.一种晶片结构的制造方法，其特征在于，包括：

在第一基板上接合第二基板；

形成开口于该第二基板中；

形成导电通道于该第二基板的该开口中；

形成沟槽于该第一基板与该第二基板中，使该导电通道从该沟槽裸露，该第一基板具有第一倾斜侧壁，该第二基板具有第二倾斜侧壁，且该第一倾斜侧壁与该第二倾斜侧壁的斜率大致相同；以及

形成重布线层，其从该第一基板的上表面依序沿该第一倾斜侧壁与该第二倾斜侧壁延伸至该第二基板的下部的上表面，且电性连接该导电通道。

16.根据权利要求15所述的晶片结构的制造方法，其中该导电通道是以电镀或化学镀的方式形成。