[发明专利]一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法有效
| 申请号： | 202010707103.7 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN112002652B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王振军;于静;王静辉;侯光斌;刘建华;张默;苟松杰;袁萌;邢姣姣;李昭仪 | 申请（专利权）人： | 中电科工程建设有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 张明月 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种芯片制造过程中电镀工艺成品率的控制方法，属于芯片加工领域，将PCM测试图形作为标准图形放置在MMIC电镀工艺的每层工艺中，然后对PCM测试图形进行测试，通过4个测试电极之间的电压来判断芯片的良率，所述芯片为砷化镓MMIC和氮化镓MMIC芯片，所述PCM测试图形为插指状测试图形，包括两种，一种为平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形，另一种为非平面衬底的电镀工艺的PCM测试图形，本发明能够充分表征复杂芯片制作过程中电镀工艺的生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 制造 过程 电镀 工艺 成品率 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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