[发明专利]用于TSV/MEMS/功率器件蚀刻的化学物质在审
| 申请号： | 202010698443.8 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111816559A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 沈鹏;克里斯汀·杜斯拉特;柯蒂斯·安德森;拉胡尔·古普塔;文森特·M·欧马杰;南森·斯塔福德 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/02;C09K13/00;C09K13/08 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李颖;林柏楠 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种以类似速率蚀刻具有不同纵横比的孔的方法，该方法包括：a.用含氟蚀刻流体等离子体蚀刻含硅基板，形成经蚀刻的含硅基板，该经蚀刻的含硅基板包括具有一种宽度的孔和具有不相同的宽度的孔；b.通过等离子体处理不饱和含氢聚合物沉积流体来产生C |
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| 搜索关键词： | 用于 tsv mems 功率 器件 蚀刻 化学物质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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