[发明专利]一种碳化硅全桥模块的低寄生电感SiC模块和焊接方法在审
| 申请号： | 202010660292.7 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111755391A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李帅;白欣娇;崔素杭;袁凤坡;李晓波;张乾;李婷婷;温鑫鑫 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/02;H01L25/07;H01L21/60;H01L29/16;H01L29/78;H01L29/861 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 刘陶铭 |
| 地址： | 050200 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅全桥模块的低寄生电感SiC模块和焊接方法，属于半导体功率设备技术领域，包括DBC板、碳化硅器件及套壳，DBC板作为该SiC模块的底板，碳化硅器件固定贴合在DBC板的导电层上，套壳扣于DBC板，DBC板上的导电层分为功率电极区和信号电极区，功率电极区包括第一漏极区块、第二漏极区块、第三漏极区块和负极输入区块，信号电极区包括第一栅极区块、第二栅极区块、第三栅极区块和第四栅极区块，本方案可以通过单个模块实现全桥开关功能，使应用更加便捷，且可靠性高，对寄生电感效应进行了最大限度的优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 模块 寄生 电感 sic 焊接 方法 | ||
【主权项】：
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