[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010645903.0 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN112420701A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 于殿圣;崔壬汾;廖忠志;傅英哲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在方法的一些实施例中，图案化开口包括：将辐射束投影到第二介电层，辐射束具有开口的图案。在方法的一些实施例中，单一图案化光刻工艺是极紫外(EUV)光刻工艺。在方法的一些实施例中，利用导电材料填充开口包括：将导电材料镀在开口中；以及平坦化导电材料和第二介电层以由导电材料的剩余部分形成第一金属线，在平坦化之后，第一金属线和第二介电层的顶表面是平坦的。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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