[发明专利]一种半导体晶片封装及其形成方法有效
| 申请号： | 202010636833.2 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111883433B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 徐彩芬;汤亚勇;苏华 | 申请（专利权）人： | 徐彩芬 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552 |
| 代理公司： | 苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙) 32304 | 代理人： | 马丽丽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体晶片封装及其形成方法，该方法包括以下步骤：在所述封装基板上制备多个环形凸起，在半导体晶片的四周边缘形成一环形凹槽，将所述半导体晶片安装在所述封装基板上，接着蚀刻所述半导体晶片的侧面以形成倾斜侧面，接着在所述半导体晶片上依次第一电介质层、第一电磁屏蔽层、第二电介质层、第二电磁屏蔽层、第三电介质层以及第三电磁屏蔽层；接着在所述封装基板上形成第一树脂封装层以及塑封层；接着在所述塑封层中形成开孔，在形成所述开孔的过程中去除了每个所述环形凸起的一部分，且所述开孔的侧壁不暴露所述半导体晶片，接着在所述开孔中沉积导电材料以形成导电凸块。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶片 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
