[发明专利]一种高介电常数高Q值的AlN介质薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202010631614.5 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111962154A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 陆旭兵;成佳运;樊贞 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/02;C30B33/02 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种高介电常数高Q值的AlN介质薄膜及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：S1：加热蓝宝石衬底，并在高纯氮气生长空间、以1.2～1.6J/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 介电常数 aln 介质 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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