[发明专利]防分层MIM电容及其制作方法在审
| 申请号： | 202010620714.8 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111710658A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 牛忠彩;杨宏旭;刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请设计半导体制造技术领域，具体涉及一种防分层MIM电容及其制作方法。防分层MIM电容包括：第一导电层设于半导体器件上，形成MIM电容的下极板；第二导电层设于MIM电容区域位置处，形成MIM电容的上极板介质层设于MIM电容区域位置处，包括位于中间的中间氮化硅介质薄膜层，和，位于中间氮化硅介质薄膜层上、下两侧的上层氧化薄膜层和下层氧化薄膜层；上层氧化薄膜层的上表面与第二导电层的下表面接触，下层氧化薄膜层的下表面和第一导电层的上表面接触。本申请能够在保留氮化硅介质薄膜层较高的热稳定性和化学稳定性的同时，解决氮化硅介质薄膜层具有较大应力的问题，使得介质层具有良好的界面特性，避免膜层出现分层隆起的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 分层 mim 电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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