[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010596841.9 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112447691A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 传田俊男;田中才工 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/607 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法，降低制造成本而进行特性改善。半导体装置具备主端子，其一端部分别接合于元件区内的电路图案，另一端部从金属基底基板的一个侧部向金属基底基板的外侧延伸。而且，半导体装置具备：控制端子，其配置于控制区域且包含控制布线部，控制区域邻接于金属基底基板的与接合有主端子的一个侧部对置的另一个侧部；密封部件，其密封金属基底基板的主面和控制区域。这样的半导体装置在配置有第一、第二半导体元件的电路图案直接接合有主端子。因此，与利用键合引线将它们之间接合的情况相比，能够降低电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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