[发明专利]高密度电容器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010594502.7 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111653545B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种高密度电容器件及其制作方法。其中器件包括介质层，包括多层依次层叠的子介质层；第一金属电极板和第二金属电极板，第一金属电极板包括至少一个第一电极臂，第二金属电极板包括至少一个第二电极臂；第一电极臂和第二电极臂均包括多段在纵向上依次接触的子电极臂，每段子电极臂对应设于子介质层中，子电极臂从其各自所在的子介质层的上表面向下延伸；相邻子介质层之间通过互连金属形成互连。该方法通过已有下层金属电极板和互连金属，充分利用双大马士革工艺，通过设计孔层图形制作较高密度的电容器件。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 电容 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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