[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010589031.0 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113838883A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 杨成成;夏文斌;张宏;王能语;李德涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及半导体结构的形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成第一下电极层以及第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一下电极层侧壁面；在所述第一下电极层以及第一介质层表面形成第二下电极层、位于第二下电极层表面的磁隧道结、以及位于磁隧道结表面的上电极层，所述第二下电极层在所述衬底表面具有第一投影，所述磁隧道结在所述衬底表面具有第二投影，并且所述第二投影在所述第一投影的范围内。由于第二下电极层表面平坦，从而，提高了磁性随机存储器的性能和可靠性，由于减少了磁隧道结对第一下电极层尺寸的影响，从而提高了磁性随机存储器的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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