[发明专利]导电柱凸块及其制造方法在审
| 申请号： | 202010559226.0 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113823616A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吴金能 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种导电柱凸块及其制造方法。导电柱凸块包括第一导电部与第二导电部。第二导电部位于第一导电部上。第二导电部的侧壁具有至少一个沟槽。沟槽从第二导电部的顶部延伸至第二导电部的底部。沟槽暴露出第一导电部的部分顶面。上述导电柱凸块可更好控制凸块结合的情况，以提升良率。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 柱凸块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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