[发明专利]电容式隔离芯片有效
| 申请号： | 202010543785.2 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113823615B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 徐海君;盛云 | 申请（专利权）人： | 苏州纳芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 韩晓园 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容式隔离芯片及其制作方法，所涉及的电容式隔离芯片包括衬底、位于衬底上侧且相对设置的下极板与上极板、以及至少两层位于上极板与下极板之间的层间介质层；相邻两层间介质层之间还设置有金属布线层，且相邻两层间介质层中的上层层间介质层内形成有若干与其下侧相应金属布线层连接且填充有金属物的第一接触孔；金属布线层包括金属主体膜及设置于金属主体膜上表面的第一金属阻挡膜，电容式隔离芯片还具有设置于第一金属阻挡膜上表面的介质缓冲层；基于电容式隔离芯片的设置结构，在采用等离子体刻蚀金属布线层上侧相应层间介质层形成第一接触孔时，即使第一金属阻挡膜具有较相对较薄的厚度时也能保证第一接触孔的刻蚀均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 隔离 芯片 | ||
【主权项】：
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