[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010535142.3 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN113809079B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杜娟娟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。在半导体结构的制备方法中，于基底内形成沟槽和硅通孔，其中沟槽贯穿第一导电类型的阱区并延伸至第一导电类型的阱区下方的基底。于沟槽的侧壁形成重掺杂的第一电极层，第一电极层覆盖沟槽的底部并延伸至第一导电类型的阱区内。于第一电极层的表面以及沟槽的侧壁形成电容介质层，并于电容介质层的表面形成第二电极层并填满沟槽。于硅通孔的侧壁形成介质层，并于介质层的表面形成互连结构并填满硅通孔。由于沟槽位于第一导电类型的阱区，且沟槽内的第一电极层、电容介质层以及第二电极层构成去耦电容。半导体结构制备方法简单，可以避免DRAM去耦电容因工艺复杂导致工艺余量较小以及容易存在缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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