[发明专利]碳化硅晶锭及其制备方法以及碳化硅晶片的制备方法在审
| 申请号： | 202010531605.9 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN112695384A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 朴钟辉;甄明玉;沈钟珉;张炳圭;崔正宇;高上基;具甲烈;金政圭 | 申请（专利权）人： | SKC株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/66;C30B23/06 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 魏彦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅晶锭及其制备方法以及碳化硅晶片的制备方法。所述碳化硅晶锭包括：本体部，包括本体部一截面和与本体部一截面对置的本体部另一截面，以及突出部，位于本体部另一截面上，并且具有基于本体部另一截面弯曲的表面；本体部另一截面包括一端点和另一端点，一端点是位于所述本体部另一截面的一端的一点，另一端点是位于所述本体部另一截面的末端的一点，一端点、突出部的最高点和另一端点位于与本体部一截面垂直的同一平面上，作为同一平面与突出部表面的交线的弧的曲率半径由下面的数学式1表示。本发明的碳化硅晶锭及其制备方法可以精确地控制晶体生长的温度梯度，并且可以提供具有更好特性的碳化硅晶锭。数学式13D≤r≤37D。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 及其 制备 方法 以及 晶片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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