[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的电子设备在审
| 申请号： | 202010531248.6 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111834306A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 徐焰;姬忠礼;陈余 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L25/07;H01L23/48;H01L23/535 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体装置和包括该半导体装置的电子设备。该半导体装置包括：第一半导体层；第二芯片；导热层，与所述第一半导体层和所述第二芯片层叠设置并且位于所述第一半导体层与所述第二芯片之间，用于在所述导热层内传导来自所述第一半导体层和/或所述第二芯片的热量，所述导热层在水平方向的导热系数大于或等于在垂直方向的导热系数,且大于所述第一半导体层的导热系数；以及第一导电柱，贯穿所述导热层，以使得所述第一半导体层与所述第二芯片通过所述第一导电柱实现电互连，其中所述第一导电柱与所述导热层电绝缘，所述第一导电柱的延伸方向为所述垂直方向。采用该半导体装置，可以降低局部热点效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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