[发明专利]用于制造具有发光二极管的光电子器件的方法有效
| 申请号： | 202010517459.4 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN111668204B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 克里斯多夫·布维尔;埃米莉·普茹瓦斯;泽维尔·于翁;卡洛·卡利;蒂费纳·杜邦;菲力浦·吉贝尔;纳赛尔·艾特曼 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会;艾利迪公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L27/15;H01L33/00;H01L33/02;H01L33/08;H01L33/18;H01L33/24;H01L33/36;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/50;H01L33/54;H01L33/56;H01L33/ |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生产光电子器件的方法，包括以下的连续步骤：提供具有第一面的衬底(10)；在所述第一面上形成包括线形、圆锥形或截锥形的半导体元件的发光二极管的集合；用包封发光二极管的层(40)覆盖第一面的全部；形成与衬底绝缘并且从第二面到至少第一面延伸通过衬底的导电元件(56)；减小衬底的厚度；并且将产生的结构切割以分开发光二极管的每个集合。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 发光二极管 光电子 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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