[发明专利]覆晶薄膜及其制造方法在审
| 申请号: | 202010460228.4 | 申请日: | 2020-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN111584436A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
| 发明(设计)人: | 周一安;王林志;董崔健;席克瑞;孔祥建;刘金娥;秦锋 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L21/48;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 200120 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种覆晶薄膜及其制造方法。本发明实施例提供一种覆晶薄膜的制造方法,包括:在母基板上依次形成第一种子层及第一光阻层;图案化第一光阻层以形成具有第一图案化光阻层和第一镂空区的第一中间基板;至少在第一镂空区暴露的第一种子层上形成第一金属层;去除第一图案化光阻层及未被第一镂空区内的第一金属层覆盖的第一种子层,以形成具有第一图案化导电层的初始导电基板。根据本发明实施例的覆晶薄膜及其制造方法,能够使其中金属层具有较高的精度和较厚的厚度。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司,未经上海天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010460228.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。





