[发明专利]覆晶薄膜及其制造方法

权利要求书

1.一种覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，包括：

提供母基板；

在所述母基板上依次形成第一种子层及第一光阻层；

图案化所述第一光阻层以形成具有第一图案化光阻层和第一镂空区的第一中间基板，所述第一中间基板通过所述第一镂空区暴露至少部分所述第一种子层；

至少在所述第一镂空区暴露的所述第一种子层上形成第一金属层；

去除所述第一图案化光阻层及未被所述第一镂空区内的所述第一金属层覆盖的所述第一种子层，以形成具有第一图案化导电层的初始导电基板，其中，所述初始导电基板在第一方向上划分为第一绑定区、第二绑定区及夹设于所述第一绑定区和所述第二绑定区之间的走线区。

2.根据权利要求1所述的覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，在所述提供母基板的步骤之后及所述在所述母基板上依次形成第一种子层及第一光阻层的步骤之前，还包括：在所述母基板上形成中间布线层；

所述在所述母基板上依次形成第一种子层及第一光阻层的步骤，包括：在所述中间布线层上依次形成所述第一种子层及所述第一光阻层。

3.根据权利要求2所述的覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，所述在所述母基板上形成中间布线层的步骤，包括：

在所述母基板上依次形成第二种子层及第二光阻层；

图案化所述第二光阻层以形成具有第二图案化光阻层和第二镂空区的第二中间基板，所述第二中间基板通过所述第二镂空区暴露至少部分所述第二种子层；

至少在所述第二镂空区暴露的所述第二种子层上形成第二金属层；

去除所述第二图案化光阻层及未被所述第二镂空区内的所述第二金属层覆盖的所述第二种子层以形成具有第二图案化导电层的第二导电基板；

在所述第二导电基板上设置平坦化层，所述平坦化层填充所述第二图案化导电层中各导体之间的间隙。

4.根据权利要求3所述的覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，所述在所述母基板上形成中间布线层的步骤中，所述在所述第二导电基板上设置平坦化层的步骤之后，还包括：

在所述平坦化层背向所述母基板的表面开设连接孔，所述连接孔暴露至少部分所述第二图案化导电层。

5.根据权利要求4所述的覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，所述在所述中间布线层上依次形成所述第一种子层及所述第一光阻层的步骤中，所述第一种子层形成在所述平坦化层上并延伸至所述连接孔暴露的所述第二图案化导电层上。

6.根据权利要求1所述的覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，所述至少在所述第一镂空区暴露的所述第一种子层上形成第一金属层的步骤中，所述第一金属层采用电镀的方式形成或者溅射的方式形成；

其中，采用电镀的方式形成所述第一金属层时，所述第一金属层仅形成于所述第一镂空区暴露的所述第一种子层上。

7.根据权利要求3所述的覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，所述至少在所述第二镂空区暴露的所述第二种子层上形成第二金属层的步骤中，所述第二金属层采用电镀的方式形成或者溅射的方式形成；

其中，采用电镀的方式形成所述第二金属层时，所述第二金属层仅形成于所述第二镂空区暴露的所述第二种子层上。

8.根据权利要求1所述的覆晶薄膜的制造方法，其特征在于，所述去除所述第一图案化光阻层及未被所述第一镂空区内的所述第一金属层覆盖的所述第一种子层以形成具有第一图案化导电层的初始导电基板的步骤之后，还包括：

在所述初始导电基板的所述第一图案化导电层上进一步形成第三金属层，所述第三金属层包覆所述第一图案化导电层暴露的表面，以形成具有第三图案化导电层的第一导电基板。