[发明专利]封装结构及其制备方法在审
申请号: | 202010428034.6 | 申请日: | 2020-05-19 |
公开(公告)号: | CN111415927A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 倪寿杰;曹立强 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/13;H01L23/36;H01L21/52 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 张艳清 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及封装技术领域,具体涉及一种封装结构及其制备方法,封装结构包括:第一基板,其上设有至少一个第一芯片和第一器件,且第一芯片的高度大于第一器件的高度;第二基板,电连接于第一基板的上方,第二基板上设有开口,且第二基板靠近第一器件的表面上设有第二器件;散热装置,设于开口处。由于第一基板上设置的第一芯片的功率较大,第一芯片的高度相比第一器件的高度较高,使得在第一基板与第二基板之间的纵向空间存在额外的空间,通过设置第二基板,且第二基板上设置第二器件,能够充分利用第一基板与第二基板的纵向空间,满足高密度封装的需求。 | ||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010428034.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类