[发明专利]一种高频器件用硅外延片的制备方法

摘要

本发明涉及一种高频器件用硅外延片的制备方法，硅外延炉反应腔体的基座升温，通入氯化氢气体对硅外延炉反应腔体的基座进行一次刻蚀，随后将基座温度降温；硅衬底片装在硅外延炉反应腔体的基座上，对硅衬底片表面进行气相抛光；使用氢气对反应腔体进行吹扫；三氯氢硅原料位于鼓泡器内，以氢气鼓泡的方式进入反应腔体，作为硅外延层的生长原料；硅外延片的硅外延层生长完成后，待温度降低后从基座上取出；硅衬底片导电类型为N型，电阻率低于0.005Ω·cm；硅外延片的硅外延层导电类型为N型，厚度为0.3~0.7μm，表层电阻率高于0.3Ω·cm。本发明克服了现有工艺中面临厚度、电阻率以及结晶质量经常无法稳定控制的问题。