[发明专利]半导体结构的制备方法

摘要

本发明提供一种半导体结构的制备方法，制备方法包括：提供半导体基底，包含相邻的沟道孔区及栅极隔槽区；形成刻蚀掩膜层，包括对应于沟道孔区的若干个沟道孔图形以及对应于栅极隔槽区的虚拟浅沟槽；对半导体基底进行刻蚀，以于沟道孔区中形成沟道孔。本发明在栅极隔槽区对应的刻蚀掩膜层上形成虚拟浅沟槽，可以减少该位置处刻蚀掩膜材料，可以减少刻蚀掩膜材料产生的副产物，在沟道孔刻蚀过程中，可以减少上述副产物对沟道孔刻蚀的影响，另外，通过控制虚拟浅沟槽与沟道孔图形之间的尺寸关系，减小刻蚀掩膜层的特征尺寸，可以进一步使得沟道孔的内排孔与外排孔的结构环境，从而可以提高沟道孔的贯通性及圆度，有利于提高内外排孔的一致性。