[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010230470.2 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN113451395B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 尤康;白杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括，在衬底上形成有源区；在所述有源区中形成至少一个沟槽，所述沟槽至少将所述有源区分为位于沟槽一侧的源区和位于沟槽另一侧的漏区；在所述源区和所述漏区上分别形成抬高源区和抬高漏区。因而在有源区的尺寸一定的情况下，在前述形成沟槽时，可以使得沟槽的宽度增大，深度减小，深宽比减小，从而在有源区尺寸一定的情况下，使得在沟槽中形成栅极结构时栅极材料容易填充，并且形成的栅极结构电阻较小，同时使得所述源区和漏区的电学连接性能不会受到影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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