[发明专利]半导体存储装置在审

专利信息
申请号: 202010157363.1 申请日: 2020-03-09
公开(公告)号: CN112530486A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 山部和治;徐倩茜 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: G11C8/08 分类号: G11C8/08;G11C7/10;G11C16/08
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式提供一种能够提高写入动作的可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:字线(WLn-1),电连接于在衬底的上方设置的第1存储单元;字线(WLn),电连接于在第1存储单元的上方设置的第2存储单元;字线(WLn+1),电连接于在第2存储单元的上方设置的第3存储单元;字线(WLn+2),电连接于在第3存储单元的上方设置的第4存储单元;以及驱动器(18),对字线(WLn-1)~(WLn+2)施加电压。驱动器(18)在写入动作中,对字线(WLn)施加写入电压(VPGM),对字线(WLn-1)施加比写入电压(VPGM)低的电压(VPASS4),对字线(WLn+1)、(WLn+2)施加比电压(VPASS4)高且比写入电压(VPGM)低的电压(VPASS3)。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
暂无信息
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