[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1存储单元，设置在衬底的上方；

第1字线，电连接于所述第1存储单元；

第2存储单元，设置在所述第1存储单元的上方，与所述第1存储单元串联连接；

第2字线，电连接于所述第2存储单元；

第3存储单元，设置在所述第2存储单元的上方，与所述第2存储单元串联连接；

第3字线，电连接于所述第3存储单元；

第4存储单元，设置在所述第3存储单元的上方，与所述第3存储单元串联连接；

第4字线，电连接于所述第4存储单元；以及

驱动器，对所述第1、第2、第3、及第4字线施加电压；且

所述驱动器在用来对所述第2存储单元写入数据的第1写入动作中，对所述第2字线施加第1写入电压，对所述第1字线施加比所述第1写入电压低的第1电压，对所述第3字线及所述第4字线施加比所述第1电压高且比所述第1写入电压低的第2电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第5存储单元，设置在所述第4存储单元的上方，与所述第4存储单元串联连接；以及

第5字线，电连接于所述第5存储单元；且

所述驱动器在所述写入动作中，对所述第5字线施加所述第2电压。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1、第2、第3及第4字线在所述衬底的上方沿第1方向依序介隔层间绝缘膜而积层，且

所述半导体存储装置具备沿所述第1方向贯穿所述第1、第2、第3及第4字线的柱。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

所述柱与所述第1、第2、第3及第4字线分别交叉的部分分别作为所述第1、第2、第3及第4存储单元发挥功能。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第5存储单元，设置在所述衬底与所述第1存储单元之间，与所述第1存储单元串联连接；

第5字线，电连接于所述第5存储单元；

第6存储单元，设置在所述第4存储单元的上方，与所述第4存储单元串联连接；以及

第6字线，电连接于所述第6存储单元；且

所述驱动器在所述写入动作中，对所述第5字线施加比所述第1电压低的第3电压，对所述第6字线施加比所述第1电压低且比所述第3电压高的第4电压。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备：

第5存储单元，设置在所述衬底与所述第1存储单元之间，与所述第1存储单元串联连接；以及

第5字线，电连接于所述第5存储单元；且

在所述驱动器对所述第2字线施加所述第1写入电压之前进行的用来对所述第1存储单元写入数据的第2写入动作中，

所述驱动器对所述第1字线施加第2写入电压，对所述第5字线及所述第2字线施加比所述第2电压高的第5电压。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，还具备：

第6存储单元，设置在所述第4存储单元的上方，与所述第4存储单元串联连接；

第6字线，电连接于所述第6存储单元；

第7存储单元，设置在所述第6存储单元的上方，与所述第6存储单元串联连接；

第7字线，电连接于所述第7存储单元；

第8存储单元，设置在所述第7存储单元的上方，与所述第7存储单元串联连接；以及

第8字线，电连接于所述第8存储单元；且

在所述驱动器对所述第2字线施加所述第1写入电压之后进行的用来对所述第7存储单元写入数据的第3写入动作中，

所述驱动器对所述第7字线施加第3写入电压，对所述第6字线及所述第8字线施加所述第5电压。