[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202010113935.6 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420710A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 韩业飞;诸冈哲;大谷纪雄 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供能够实现电气特性的改善的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有第1布线、第2布线、第1沟道部、第2沟道部、第1电荷储存部、第2电荷储存部、第1绝缘部、第2绝缘部和第3绝缘部。上述第1绝缘部包括设在上述第1电荷储存部的至少一部分与上述第2电荷储存部的至少一部分之间的部分，沿第1方向延伸。上述第2绝缘部设在上述第1绝缘部与上述第1布线之间，在上述第1方向上与上述第1电荷储存部相邻的位置处沿上述第1方向延伸。上述第3绝缘部设在上述第2布线与上述第1绝缘部之间，在上述第1方向上与上述第2电荷储存部相邻的位置处沿上述第1方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
