[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202010106285.2 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN113097181A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 丘世仰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，包括半导体晶圆，具有顶侧与背侧。半导体晶圆包括第一导电类型的第一半导体井、第二导电类型的第二半导体井、半导体装置、第一导电类型的多个第一半导体掺杂区域与多个第一硅穿孔(through silicon via,TSV)。第二导电类型不同于第一导电类型。第一半导体井设置于第二半导体井内且自顶侧裸露。第一半导体掺杂区域设置于第一半导体区域内且围绕半导体装置。每个第一硅穿孔从背侧经过第一与第二半导体井延伸至相应的第一半导体掺杂区域内。每个第一硅穿孔为导电材料所填满，并且每个第一硅穿孔从背侧连接直流电压或是接地电压。如此，作为保护环结构的半导体掺杂区域的布线能够与半导体装置的布线彼此是不相干，得以节省占用的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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