[发明专利]重新布线层的制备方法及其结构在审
| 申请号： | 202010101446.9 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN113284800A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 尹佳山;周祖源;吴政达 | 申请（专利权）人： | 盛合晶微半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/48;H01L21/02;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种重新布线层的制备方法及其结构，该方法包括：提供支撑基底，并于其上形成扩散阻挡层；通过涂胶、曝光、显影工艺，于扩散阻挡层上形成图形化的光刻胶层；于扩散阻挡层上形成上端小下端大的类喇叭状的形貌的金属线层；去除图形化的光刻胶层；采用湿法刻蚀去除扩散阻挡层；采用等离子体刻蚀刻蚀金属线层，以对金属线层的形貌进行整形。通过采用等离子体刻蚀工艺对金属线层的下端进行整形，去除金属线层的下端的尖角凸部，或尖角凸部呈圆角化，可有效增大相邻金属线层之间的线间距，提高WLP的集成度；另外，消除了金属线层的下端的尖角凸部，可避免重新布线层尖端放电及相邻金属线层桥接的风险，提高了重新布线层的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 重新 布线 制备 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
