[发明专利]重新布线层的制备方法及其结构在审
| 申请号： | 202010101432.7 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN113284809A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 尹佳山;王荣荣;周祖源;吴政达 | 申请（专利权）人： | 盛合晶微半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/02;H01L23/498;C25D7/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种重新布线层的制备方法及其结构，该方法包括：于支撑基底上形成扩散阻挡层及金属种子层；于金属种子层上形成具有填充窗口的光刻胶层；于金属种子层上依次形成金属线层及缓冲层；于缓冲层上形成至少两层保护层的叠层结构，且在形成相邻两层保护层之间实施清洗工艺；去除光刻胶层、金属种子层和扩散阻挡层；将保护层电性引出。通过电镀工艺结合清洗工艺于形成叠层结构，在叠层结构与缓冲层之间没有贯通的孔隙，有效提高了保护层结构的连续性，因此可提高缓冲层与叠层结构之间的粘合力，改善重新布线层的稳定性能，在后续的WB工艺中，缓冲层与叠层结构之间不易出现剥离现象，从而有效提高重新布线层的产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 重新 布线 制备 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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