[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

实施方式提供一种可良好地制造的半导体存储装置及其制造方法。实施方式之半导体存储装置具备：衬底，具备第1区域、在第1方向上与第1区域相邻的第2区域、及在第1方向上与第1区域相邻的第3区域；第1绝缘层，设置在第1区域、第2区域及第3区域；第1布线，在第1区域中，设置在第1绝缘层的表面；存储单元，设置在第1布线；第2布线，设置在存储单元，且以第1方向延伸；及触点，在第2区域连接于第2布线，且以与衬底交叉的第2方向延伸。第1绝缘层的表面具备设置在第2区域及第3区域中的至少一个区域且在第1方向上排列的多个第1面、及设置在多个第1面之间的多个第2面。多个第2面较多个第1面更靠近衬底、或者较多个第2面更远离衬底。